Peregrine半导体发布业界最快的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）驱动器­­­­-­®UltraCMOS PE29100。

基于公司的UltraCMOS技术，这个GaN驱动器准许设计工程师从GaN晶体管中提取出全部的性能和速度优势。PE29100设计在一个开关结构中用来驱动高侧和低侧的GaN FET栅极,它可以提供业界最快的开关速度，最短的传播延迟和最低的上升和下降时间的交流-直流变换器、直流-直流转换器，D类音频放大器和无线充电中的应用。

氮化镓基场效应管打破了电力转换市场，可取代硅基金属–氧化物–半导体场效应晶体管（MOSFETs）。相比于MOSFETs，GaN FETs运行的速度快得多，具有更高的开关速度，并且体积也尽可能小。GaN可以显著降低任何电源的大小和重量。为了达到他们的性能潜力，这些高性能的GaN晶体管需要一个优化的栅极驱动器。这FET驱动器必须充电和放电的栅电容尽可能快，它必须具有非常低的传播延迟，以允许快速的信号。它还必须通过不同时切换到高侧和低侧FETs来避免“直通”。而PE29100就是专为这个要求而设计的。

UltraCMOS技术平台是PE29100业界领先的速度背后的驱动力。该技术使集成电路比传统的CMOS技术的速度更快。它使Peregrine制造出业界最短的传播延迟的GaN FET驱动器，并且具有最低的上升和下降时间和最快的开关速度。这个速度优化，让我们可以使用更小的电源转换器，为设计师提供增强的电源功率比。

UltraCMOS技术在一个真正的绝缘基板上制造，没有散装或连接，因此具有较低的寄生效应。UltraCMOS技术还具有低导通电阻以提高效率，在较高的工作频率具有较低的off-capacitance。

UltraCMOS pe29100是一个内部dead-time控制的半桥GaN FET驱动器。其工作频率达33Mhz,工作电压达80v.传播延时很短只有8ns,在1000pF的负载下，上升时间2.5ns，下降时间是1.8ns，100pF负载下，上升时间和下降时间都控制在1纳米。PE29100工作在单引脚单相的输入模式，而输出的时候，拉电流2A，灌电流4A。

“我们的增强型GaN（Egan®）晶体管与MOSFET相比，提供了一个全新的光谱性能。” EPC首席执行官和联合创始人Alex Lidow博士说。“GaN FET驱动器，例如Peregrine的UltraCMOS PE29100，使设计工程师能够解开eGaN FET技术的真正潜力。PE29100进一步增强了我们为客户在功率转换市场提供最好的解决方案的能力，在这里，尺寸、效率和简单的设计都是至关重要的。”

UltraCMOS PE29100现已批量生产，样品和评估板申请中。