M29DW128G70NF6E MICRON 数量:5860 批号:2013+ 封装:BGA 深圳市祥瑞智科技有限公司联系人:朱小姐QQ:616543983电话:0755-83210901

128兆位（ Mb的8 ×16 ，多个银行，网页，双引导）

3 V电源闪存

数据摘要

特点

■

电源电压

– V

CC

= 2.7〜 3.6 V的编程，擦除和

读

– V

PP

= 12 V的快速程序（可选）

非同步随机/页读

- 页面宽度： 8个字

- 页面访问： 25纳秒

- 随机访问： 60纳秒

编程时间

- 每字节/字15 μs（典型值）

- 32 - 字写缓冲区

擦除验证

内存块

- 四组内存阵列：

16兆位+ 48兆+ 48兆+ 16兆位

- 参数块（顶部和底部）

双操作

- 虽然在一个银行，读取编程或擦除

在任何其他银行的

编程/擦除挂起和恢复模式

- 读取来自任何阻止程序时

暂停

- 阅读并计划在另一座

擦除挂起

解锁绕道程序

- 加快生产/批处理编程

通用闪存接口

- 64位验证码

每座10万编程/擦除周期

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TSOP56 （ NF ）

14 ×20mm的

BGA

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TBGA64 （ZA）

10× 13毫米

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低功耗

- 待机和自动待机

硬件块保护

– V

PP

/ WP引脚用于快速编程和写

保护的四个最外面的参数的

块

安全功能

- 标准保护

•密码保护

- 附加块保护

扩展内存块

- 额外的块作为安全模块，或者

存储额外信息

电子签名

- 制造商代码： 0020H

- 设备代码： 227Eh + 2220h + 2200H

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