型号：IRLMS6702TRPBF

品牌：IR

类别：分离式半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 特点：逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss)：20V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.4A

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：200 毫欧 @ 1.6A，4.5V

Id 时的 Vgs(th)（最大）：700mV @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs：8.8nC @ 4.5V

输入电容 (Ciss) @ Vds：210pF @ 15V

功率 - 最大：1.7W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽）

供应商设备封装：Micro6?（TSOP-6）

包装：带卷 (TR)

其它名称：IRLMS6702PBFTR

标准包装：3,000

封装：SOT-23

数量：25600

单价：面议

描述：第五代HEXFET®从功率MOSFET国际整流器利用先进的加工技术，以实现极低的导通电阻元硅片面积。这样做的好处，结合快速开关速度和坚固耐用的设备的设计，HEXFET®功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供了一个非常有效和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。该Micro6 ™封装，其引脚框定制产生HEXFET®功率MOSFET为RDS （ ON）60 ％不到同样大小的SOT- 23 。这个包是其中，印刷电路板空间应用的理想选择是十分宝贵的。它独特的散热设计和RDS （ ON）能减少将近电流处理增加300％相比， SOT-23 。

备注：深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列场效应管，公司授权分销IR，现货库存供应IRLMS6702 IRLMS6702TRPBF，正品原装，品质保证，欢迎广大客户朋友咨询洽谈。

特点：

•第五代技术

•Micro6封装形式

•超低RDS （ ON）

•P沟道MOSFE

•LEAD -FREE

深圳市勤思达科技有限公司

联系人：朱小玲

联系电话：0755-82710921