供应SI2301CDS-T1-GE3 深圳市中杰盛科技有限公司

2014-12-23 17:00:00
  • MOSFET 20V 3.1A 1.6W 112 mohms @ 4.5V

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 符合RoHS 详细信息

商标: Vishay / Siliconix

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: - 20 V

Vgs-栅源极击穿电压 : 8 V

Id-连续漏极电流: 2.3 A

Rds On-漏源导通电阻: 112 mOhms

配置: Single

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 860 mW

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

封装: Reel

通道模式: Enhancement

下降时间: 35 ns

最小工作温度: - 55 C

上升时间: 35 ns

工厂包装数量: 3000

典型关闭延迟时间: 30 ns