Ziptronix Inc.公司与EV Group集团宣布成功地在客户提供的300毫米 DRAM 晶圆实现次微米接合后对准精密度。方法是在 EVG Gemini FB 产品融合接合机和 SmartView NT 接合对准机上采用Ziptronix的 DBI 混合接合技术。这种方法适用于制造各种应用的微间距3D积体电路，包括堆叠记忆体、先进影像感测器和堆叠式系统级晶片(SoC)。

　　Ziptronix 的技术长兼工程副总裁Paul Enquist 表示：「DBI 混合接合技术的性能不受连接间距的限制，只需要可进行测量的适当的对准和布局工具，而这是之前一直未能解决的难题。EVG 的融合接合设备经过最佳化后实现了一致的次微米接合后对准精密度，此对准精密度上的改进为我们的技术高量产(HVM)而铺路。」

　　新一代 3D 技术的间距测量预计将会持续多年。微间距混合接合已应用于高性能的 3D 记忆体产品，并已宣布大量产 3D 影像感测器。 DBI 混合接合可用在晶粒或晶圆级；然而，晶圆级接合通过一次接合所有晶粒实现了巨大的成本优势。由于大部份 DBI 混合键合在晶圆级进行处理，故具有低总拥有成本的优势。

　　EVG 的执行技术总监Paul Lindner 表示：「次微米精密度对于在更广泛应用的大量产中实现微间距连接是至关重要的。随着产业推动3D积体电路的发展，我们与Ziptronix 联合开发生产方案，共同努力为客户提供惊人的附加价值。」

　　Ziptronix 直接接合互连(DBI)混合接合是一种导体/电介质接合技术，包括各种金属/氧化物和/或氮化物的组合，不需使用黏合剂，是目前市场上最合适量产的技术。此技术能够对铜/铜或其他金属接合实现强力、常温绝缘键合、低温导电键合和微间距互连，因为在绝缘和导电表面之间均进行接合，故能有效接合整个底板介面区域。

　　EVG 用于通用对准的 SmartView NT 自动接合对准系统提供了一种晶圆级的面与面之间对准的专有方法，这是在多晶圆堆叠中达到先进技术所需精密度要求的关键。除了改善 SmartView NT 接合对准机的对准功能以达到次微米级的精密度，EVG 进行最佳化，使得表面可以同时为接合、电气连接性和机械强度做好准备。