IPB034N06L3G,分立半导体产品

2013-5-29 8:36:00
  • 深圳市宏世佳电子科技有限公司现货库存销售

公司原装现货。

数量:3500pcs。

参数:

类别: 分立半导体产品

家庭: FET - 单

系列 OptiMOS™

包装: 带卷 (TR)

FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能 逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss) 60V

电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 90A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.4 毫欧 @ 90A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 93μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 79nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 13000pF @ 30V

功率 - 最大值 167W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB

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