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ILA03N60	文件：330.78 Kbytes Page：15 Pages	LightMOS Power Transistor LightMOSPowerTransistor •NewhighvoltagetechnologydesignedforZVS-switchinginlamp ballasts •IGBTwithintegratedreversediode •4Acurrentratingforreversediode •Upto10timeslowergatecapacitancethanMOSFET •Avalancherated •150°Coperatingtemperature •FullPakis	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
03N60	文件：2.52205 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AIHD03N60RF	文件：1.72801 Mbytes Page：16 Pages	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
CJP03N60	文件：193.74 Kbytes Page：3 Pages	PowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
FMC03N60E	文件：580.87 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFETFeatures	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FMC03N60E	文件：332.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FMI03N60E	文件：578.13 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FMP03N60E	文件：571.53 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FMP03N60E	文件：371.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FMV03N60E	文件：532.96 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
H03N60	文件：59.56 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMC 华昕	HSMC
H03N60E	文件：59.56 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMC 华昕	HSMC
H03N60F	文件：59.56 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMC 华昕	HSMC
IKD03N60RF	文件：1.71473 Mbytes Page：16 Pages	TRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplicationsupto30kHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD03N60RF	文件：1.92227 Mbytes Page：16 Pages	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD03N60RF	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD03N60RF	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	?쏳C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKD03N60RFA	文件：1.74998 Mbytes Page：16 Pages	OptimizedEon,EoffandQrrforlowswitchinglosses	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
ILB03N60	文件：330.78 Kbytes Page：15 Pages	LightMOSPowerTransistor LightMOSPowerTransistor •NewhighvoltagetechnologydesignedforZVS-switchinginlamp ballasts •IGBTwithintegratedreversediode •4Acurrentratingforreversediode •Upto10timeslowergatecapacitancethanMOSFET •Avalancherated •150°Coperatingtemperature •FullPakis	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
ILD03N60	文件：330.78 Kbytes Page：15 Pages	LightMOSPowerTransistor LightMOSPowerTransistor •NewhighvoltagetechnologydesignedforZVS-switchinginlamp ballasts •IGBTwithintegratedreversediode •4Acurrentratingforreversediode •Upto10timeslowergatecapacitancethanMOSFET •Avalancherated •150°Coperatingtemperature •FullPakis	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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详细参数

型号：
ILA03N60
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
LightMOS Power Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市利加科技有限公司	ILA03N60	INF	16+	TO-220	10000	全新原装现货	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	ILA03N60	INFINEON	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
上海意淼电子科技有限公司	ILA03N60	max	23+	NA	6500	全新原装假一赔十	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	ILA03N60	INFINEON/英飞凌	21+ROHS	TO220F	28888	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
华富测量(深圳)传感技术有限公司	ILA03N60	原厂	2023+	模块	600	专营模块,继电器,公司原装现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	ILA03N60	INFINEON	23+	TO-220	8000	只做原装现货	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	ILA1062AD		05+	SOP-16P	2800		询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	ILA1062AD	INTEGRAL	23+	SOIC	5000	原装正品,假一罚十	询价
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更多ILA03N60供应商更新时间2024-5-1 10:00:00

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