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FQL40N50	文件：623.42 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQL40N50	文件：311.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQL40N50F	文件：635.87 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFPS40N50L	文件：111.42 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)typ.=0.087ohm,Id=46A) Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dt Ruggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ●LowTrrandSoftDiodeRecovery ●HighPerformanceOptimisedAnti-parallelDiode Applications	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFPS40N50L	文件：163.5 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedfor ExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimplerDrive Requirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoise Immunity •Compliant	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPS40N50L	文件：191.04 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPS40N50L	文件：347.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFPS40N50LPBF	文件：152.03 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFPS40N50LPBF	文件：163.5 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedfor ExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimplerDrive Requirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoise Immunity •Compliant	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IXFH40N50Q	文件：128.84 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH40N50Q	文件：372.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=140mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK40N50	文件：328.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.16Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFT40N50Q	文件：128.84 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTQ40N50Q	文件：561.48 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentPowerMOSFETQ-Class	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTQ40N50Q	文件：300.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SiHFPS40N50L	文件：191.04 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHFPS40N50L	文件：212.12 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHFPS40N50L	文件：163.5 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedfor ExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimplerDrive Requirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoise Immunity •Compliant	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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