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IRFPS40N50L	文件：111.42 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.087ohm, Id=46A) Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dt Ruggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ●LowTrrandSoftDiodeRecovery ●HighPerformanceOptimisedAnti-parallelDiode Applications	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFPS40N50L	文件：163.5 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedfor ExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimplerDrive Requirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoise Immunity •Compliant	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPS40N50L	文件：191.04 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPS40N50L	文件：347.47 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFPS40N50LPBF	文件：163.5 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedfor ExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimplerDrive Requirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoise Immunity •Compliant	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPS40N50L_17	文件：191.04 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPS40N50LPBF	文件：152.03 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
FQL40N50	文件：623.42 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQL40N50	文件：311.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQL40N50F	文件：635.87 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IXFH40N50Q	文件：372.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=140mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH40N50Q	文件：128.84 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFK40N50	文件：328.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.16Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFT40N50Q	文件：128.84 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTQ40N50Q	文件：561.48 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentPowerMOSFETQ-Class	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTQ40N50Q	文件：300.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHFPS40N50L	文件：212.12 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SiHFPS40N50L	文件：191.04 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHFPS40N50L	文件：163.5 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedfor ExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimplerDrive Requirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoise Immunity •Compliant	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
IRFPS40N50L
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 46 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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