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IKW40N120T2分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
IKW40N120T2 |
参数属性 | IKW40N120T2 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 75A 480W TO247-3 |
功能描述 | IGBT in 2nd generation TrenchStop with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode |
文件大小 |
598.14 Kbytes |
页面数量 |
15 页 |
生产厂商 | Infineon Technologies AG |
企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-17 23:14:00 |
IKW40N120T2规格书详情
IKW40N120T2属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。英飞凌科技公司制造生产的IKW40N120T2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号:
IKW40N120T2FKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
TrenchStop®
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- IGBT 类型:
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.2V @ 15V,40A
- 开关能量:
5.25mJ
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
33ns/314ns
- 测试条件:
600V,40A,12 欧姆,15V
- 工作温度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
PG-TO247-3-1
- 描述:
IGBT 1200V 75A 480W TO247-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
原装 |
24+ |
标准 |
30733 |
热卖原装进口 |
询价 | ||
MAXSMD |
23+ |
NA |
6500 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
INFINEO |
2020+ |
TO247 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-247 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-247 |
18000 |
询价 | |||
INFINEON |
23+ |
TO-247 |
20000 |
原厂原装正品现货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-247 |
15000 |
英飞凌MOS管、IGBT大量有货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO-247 |
500 |
全新、原装 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
询价 | ||||
INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
5500 |
原厂原装,假一罚十 |
询价 |