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71V2556SA100BGI8	文件：298.88 Kbytes Page：25 Pages	128Kx363.3VSynchronousZBT™SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-166MHz (3.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(READ/WRI	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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71V2556SA100BGI8

文件：298.88 Kbytes

Page：25 Pages

128Kx363.3VSynchronousZBT™SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-166MHz (3.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(READ/WRI

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
IDT71V2556SA100BGI8
功能描述：
IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
2,000
系列：
MoBL® 格式 -
存储器：
RAM
存储器类型：
SRAM - 异步
存储容量：
16M（2M x 8，1M x 16）
速度：
45ns
接口：
并联
电源电压：
2.2 V ~ 3.6 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
48-VFBGA
供应商设备封装：
48-VFBGA（6x8）
包装：
带卷(TR)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IDT71V2556SA100BGI8供应商更新时间2024-5-16 15:08:00

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