| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IXYSTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
留言
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IXYSDIP18 |
6000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IXYSTO-263AB |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
留言
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IXYSDIP18 |
6000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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IXYSN/A |
18 |
1931+ |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IXYS原厂原装 |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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APTO-252 |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-263 |
501573 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-263-3 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-263 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-263 |
501573 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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IXYS(艾赛斯)N/A |
7500 |
23+ |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO263 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IXYSTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IXYSTO-263(D2PAK) |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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IXYSNA |
18 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-263 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO-263 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-263 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-263(D2PAK) |
32322 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
IXDA20N120AS采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IXDA20N120AS图片
IXDA20N120AS中文资料Alldatasheet PDF
更多IXDA20N120AS功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXDA20N120AS_11制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT
IXDA20N120AS-TUBE功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
IXDA20N120AS
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，20A
- 开关能量：
3.1mJ（开），2.4mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 测试条件：
600V，20A，82 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
TO-263AA
- 描述：
IGBT 1200V 38A 200W TO263AB
