| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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3000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IRDPAK |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
3315 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
6528 |
2016+ |
房间原装进口现货假一赔十 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRD-Pak |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRD-Pak |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
90000 |
23+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO-252 |
1610 |
23+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRSOT-252 |
6852 |
1948+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-252 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
30490 |
21+ |
原装现货库存 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRD-Pak |
8866 |
08+(pbfree) |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRD-PAK |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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IRG4RC10UD4515 |
4515 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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irN/A |
6980 |
22+ |
原装现货,可开13%税票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TO-252-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesDPak |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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IRG4RC10UD图片
IRG4RC10UDPBF价格
IRG4RC10UDPBF价格：￥6.5543品牌：IR
生产厂家品牌为IR的IRG4RC10UDPBF多少钱，想知道IRG4RC10UDPBF价格是多少？参考价：￥6.5543。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRG4RC10UDPBF批发价格及采购报价，IRG4RC10UDPBF销售排行榜及行情走势，IRG4RC10UDPBF报价。
IRG4RC10UD中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4RC10UD功能描述:IGBT W/DIODE 600V 8.5A D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC10UDPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-60 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4RC10UDTR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRG4RC10UDTRLP功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4RC10UDTRP功能描述:IGBT 模块 600V ULTRAFAST 8-60 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IRG4RC10UDTRRP功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-60 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
IRG4RC10UD
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，5A
- 开关能量：
140µJ（开），120µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
40ns/87ns
- 测试条件：
480V，5A，100 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
D-Pak
- 描述：
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
