选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IRTO-220 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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IRTO-220 |
62 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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VISHAY(威世)TO-263-3 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
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VishayN/A |
2000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
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61490 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
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IRTO-220 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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IRTO-220 |
38900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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IRNA/ |
109 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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IRTO-220 |
62 |
96+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
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IRTO-220 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
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IRTO-220AB |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
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IRTO-220 |
62 |
96+ |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO-220 |
28523 |
23+ |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-220 |
30000 |
23 |
全新原装现货 价格优势 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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TH/韩国太虹TO-220 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
29041 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-220 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
9896 |
23+ |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRTO-220 |
5220 |
02+ |
IRFZ14采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRFZ14图片
IRFZ14PBF价格
IRFZ14PBF价格:¥1.8509品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的IRFZ14PBF多少钱,想知道IRFZ14PBF价格是多少?参考价:¥1.8509。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRFZ14PBF批发价格及采购报价,IRFZ14PBF销售排行榜及行情走势,IRFZ14PBF报价。
IRFZ14中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFZ14功能描述:MOSFET N-Chan 60V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ14_11制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFZ14A功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB
IRFZ14L功能描述:MOSFET N-CH 60V 10A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ14LPBF制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFZ14PBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ14S功能描述:MOSFET N-Chan 60V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ14SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 10 Amp 200mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ14STRL功能描述:MOSFET N-Chan 60V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ14STRLPBF功能描述:MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件