| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
5000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-251 |
7500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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IRTO-251 |
11980 |
2122+ |
只做原装进口正品,假一赔十,价格优势 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-251 |
6400 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
500 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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IRTO-251 |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-251 |
380 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-251 |
7845 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-251 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市祥瑞智科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-251 |
5000 |
22+ |
原装正品!!!优势库存!0755-83210901 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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IRTO-251 |
36800 |
21+ |
进口原装现货 假一赔十 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRTO-251 |
65400 |
23+ |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-251 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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IRTO-251 |
9865 |
23+/24+ |
主推型号,原装正品,终端BOM表可配单,可开13点税 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
400 |
16+ |
进口原装假一赔十支持含税 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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IRTO-251 |
6257 |
16+ |
全新原装/深圳现货库2 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRDIPSOP |
12300 |
15+ |
原装进口现货,假一罚十 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-251 |
36000 |
22+ |
代理渠道力挺长期原装现货 可开增票 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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IRTO-251 |
2346 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
IRFU9120采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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IRFU9120NPBF价格
IRFU9120NPBF价格：￥2.1848品牌：International
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IRLML2402TRPBFIR20146000面议SOT-23IRLML6402TRPBFIR20146000面议SOT-23IRLML2502TRPBFIR20146000面议SOT-23IRLML2803TRPBFIR20146000面议SOT-23IRLML5203TRPBFIR20146000面议SOT-23IRLML6302TRPBFIR20146000面议SOT-23IRLML6401TRPBFIR20146000面议SOT-23IR1155STRPBF
IRFU9120NPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFU9120功能描述:MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU9120_R4941功能描述:MOSFET TO-251 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU9120N功能描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFU9120NHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
IRFU9120NPBF功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -100V -6.5A 480mOhm 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFU9120PBF功能描述:MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
