选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-251 |
35890 |
23+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-251 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-251 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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IRTO-251 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IR/VISHAYI-PAK |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IRTO-251 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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IRI-pak |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRI-pak |
12888 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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INFINEONTO-251 |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-251 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO-251 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-251 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRTO-251 |
6523 |
1816+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO-251 |
10400 |
23+ |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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IR/INFINEONTO-251 |
10400 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
48900 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市英瑞芯科技有限公司2年
留言
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IRTO-251 |
8900 |
22+ |
英瑞芯只做原装正品!!! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2513 Short Leads IPak TO251A |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市芯为科技有限公司5年
留言
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IRI-pak |
16800 |
2023+ |
芯为只有原装,公司现货 |
IRFU3709采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRFU3709图片
IRFU3709ZPBF价格
IRFU3709ZPBF价格:¥4.1185品牌:International
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IRFU3709中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFU3709功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFU3709PBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 30V 90A I-PAK
IRFU3709Z制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFU3709Z-701P功能描述:MOSFET N-CH 30V 86A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFU3709ZCPBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFU3709ZPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 86A 6.5mOhm 17nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube