选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
|
IRTO-263 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
|||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
IRTO-263 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
|
IRTO263 |
3000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
|||
|
深圳市华博特电子有限公司6年
留言
|
INFINEONMSOP8 |
2000 |
23/22+ |
全线可订货.含税开票 |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
IRTO-263 |
284 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
|||
|
深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
|
IRTO-263 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
|||
|
深圳兆威电子有限公司7年
留言
|
IRTO263 |
2220 |
23+ |
只做原装全系列供应价格优势 |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
|
Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
IRD2-Pak |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
IRTO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
IRTO-263 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
IRTO-263 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
|||
|
瑞航达科技(深圳)有限公司6年
留言
|
628 |
O8 |
原装正品 |
||||
|
深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
|
VISHAY-威世TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
|
IRTO-220 |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
|
易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
|
ID2PAK |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
|||
|
深圳市瑞卓芯科技有限公司10年
留言
|
IRTO-263 |
9000 |
22+ |
原装正品 |
|||
|
深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
|
Infineon/英飞凌D2PAK |
10000 |
21+ |
原装,品质保证,请来电咨询 |
|||
|
深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
|
Infineon(英飞凌)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
|||
|
深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
|
INFINEON/英飞凌 |
45000 |
2021+ |
十年专营原装现货,假一赔十 |
IRFS59N10采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRFS59N10图片
IRFS59N10DTRLP价格
IRFS59N10DTRLP价格:¥10.7686品牌:INTERNATIONAL RECTIFIER
生产厂家品牌为INTERNATIONAL RECTIFIER的IRFS59N10DTRLP多少钱,想知道IRFS59N10DTRLP价格是多少?参考价:¥10.7686。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRFS59N10DTRLP批发价格及采购报价,IRFS59N10DTRLP销售排行榜及行情走势,IRFS59N10DTRLP报价。
IRFS59N10DTRLP中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFS59N10D制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 100V, 59A, D2-PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D
IRFS59N10DHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRFS59N10DPBF功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 25mOhms 76nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFS59N10DTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRFS59N10DTRLP功能描述:MOSFET MOSFT 100V 59A 25mOhm 76nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFS59N10DTRRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 59A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRFS59N10DTRRP功能描述:MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件