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深圳市珩瑞科技有限公司

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IRTO-263

6000

21+

原装正品

深圳市微纳尔电子实业有限公司

1年 留言
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INFINEONTO263

900

21+

只做原装,可开税票

深圳市创新迹电子有限公司

1年 留言
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IRTO-263

9000

2021+

原装现货,随时欢迎询价

深圳市坤融电子科技有限公司

5年 留言
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INFINEON/英飞凌TO-263

200

22+

只做原装进口 免费送样!!

深圳市纳艾斯科技有限公司

9年 留言
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IRTO-263

8000

2020+

只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

深圳市高捷芯城科技有限公司

4年 留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK

8357

23+

支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳兆威电子有限公司

5年 留言
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    陈小姐 /颜小姐

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IRTO-263

36000

22+

代理渠道力挺长期原装现货 可开增票

深圳市美思瑞电子科技有限公司

11年 留言
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IRD2-PAK

9450

22+

原装正品,实单请联系

深圳市金芯阳科技有限公司

9年 留言
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IR原厂原装

1600

15+

进口原装现货假一赔十

深圳市德创芯微科技有限公司

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INFINEONTO-263

10000

20+

全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

10年 留言
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IRTO-263

12300

23+

全新原装真实库存含13点增值税票!

深圳市惊羽科技有限公司

4年 留言
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VISHAY-威世TO-263-3

78800

24+25+/26+27+

1
+:¥10
1000
+:¥10

一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

深圳市珩瑞科技有限公司

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Infineon/英飞凌D2PAK

10000

21+

原装,品质保证,请来电咨询

深圳市易讯博科技有限公司

4年 留言
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InfineonNA

2118

22+

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深圳好佳好科技有限公司

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IRSOT263

12000

1305+

深圳市瑞卓芯科技有限公司

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IRTO-263

9000

22+

原装正品

深圳市达恩科技有限公司

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InfineonNA

3391

18+

进口原装正品优势供应QQ3171516190

深圳市拓亿芯电子有限公司

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IRTO-263

30000

23

全新原装现货 价格优势

深圳市国宇半导体科技有限公司

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IRTO-263

10000

23+

公司只做原装正品

深圳市亿鸿丰电子科技有限公司

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IRTO-263-3

6000

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IRFS41N15D制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK 制造商:Int'L Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

IRFS41N15DHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

IRFS41N15DPBF功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFS41N15DTRL功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 41A I(D) | TO-263AB

IRFS41N15DTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

IRFS41N15DTRLP功能描述:MOSFET MOSFT 150V 41A 45mOhm 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFS41N15DTRR功能描述:MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件