选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
3150 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌D2PAK |
19193 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
24000 |
10+ |
主营IR可含税只做全新原装正品现货 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
2500 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
2970 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRSOT-263 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRSOT-263 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市晴轩时代电子有限公司6年
留言
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Infineon/英飞凌D2PAK |
8800 |
21+ |
公司只作原装正品 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO263 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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IR/VISHAYD2-PAK |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
4096 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
550 |
05+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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InfineonN/A |
493 |
1931+ |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO263 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO263 |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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IRTO263 |
6500 |
23+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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IRFS33N15图片
IRFS33N15DTRLP价格
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IRFS33N15DTRLPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFS33N15D功能描述:MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFS33N15DHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 33A 3PIN D2PAK - Bulk
IRFS33N15DPBF功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 56mOhms 60nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFS33N15DTRLP功能描述:MOSFET MOSFT 150V 33A 56mOhm 60nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube