| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAYTO-252 |
10000 |
10+ |
只做全新原装IR正品现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
5000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-252 |
9203 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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60932 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAYTO-252 |
1626 |
14+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRSOT-252 |
50000 |
21+ |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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IRSOT252 |
20000 |
20+/21+ |
全新原装现货 |
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深圳市九方航科技有限公司3年
留言
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VBSEMISOT-252 |
29600 |
19+ |
绝对原装现货,价格优势! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO-252-2 |
5618 |
23+ |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscDPAK/TO-252 |
8500 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
5587 |
21+ |
原装现货库存 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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syncpowerSOT-23 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
59210 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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TO-252 |
65480 |
23+ |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
4000 |
22+ |
绝对进口原装现货 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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IR |
290 |
2004 |
公司优势库存 热卖中!! |
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IRFR9210图片
IRFR9210PBF价格
IRFR9210PBF价格：￥1.8206品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFR9210PBF多少钱，想知道IRFR9210PBF价格是多少？参考价：￥1.8206。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR9210PBF批发价格及采购报价，IRFR9210PBF销售排行榜及行情走势，IRFR9210PBF报价。
IRFR9210中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR9210功能描述:MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9210PBF功能描述:MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9210TF制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:IRFR9210TF
IRFR9210TR功能描述:MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9210TRL功能描述:MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9210TRLPBF功能描述:MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9210TRPBF功能描述:MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9210TRR功能描述:MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
