| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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VISHAY/威世TO252 |
13397 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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VISHAY/IR原厂封装 |
9025 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
52 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-252 |
9203 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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IRTO-252 |
6500 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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VISHAYTO252 |
26982 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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VISHAYTO252 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市振宏微科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
28000 |
23+ |
原装正品 |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IR |
35200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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IRTO-252 |
15000 |
06+ |
原装 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
30000 |
23+ |
代理全新原装现货,价格优势 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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IRTO-252 |
4835 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市创盛芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
3000 |
22+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
IRFR9020采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR9020图片
IRFR9020PBF价格
IRFR9020PBF价格：￥2.8076品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFR9020PBF多少钱，想知道IRFR9020PBF价格是多少？参考价：￥2.8076。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR9020PBF批发价格及采购报价，IRFR9020PBF销售排行榜及行情走势，IRFR9020PBF报价。
IRFR9020中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR9020功能描述:MOSFET P-Chan 50V 9.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9020A-TF制造商:MAJOR
IRFR9020PBF功能描述:MOSFET P-Chan 50V 9.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9020TR功能描述:MOSFET P-Chan 50V 9.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9020TRL功能描述:MOSFET P-Chan 50V 9.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9020TRLPBF功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9020TRPBF功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9020TRR功能描述:MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
