| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
9203 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
8000 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IR原厂封装 |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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210494 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
36800 |
21+ |
进口原装现货 假一赔十 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
24+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市诚中源科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO-252 |
13568 |
22+ |
实力现货,随便验! |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-252 |
10000 |
22+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
300 |
18+ |
进口原装假一赔十支持含税 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRD-Pak |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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IRTO-252 |
36000 |
16+ |
原装正品,优势库存81 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRSOT-252 |
21000 |
23+ |
专业优势供应 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRSOT-252 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRSOT-252 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
深圳宏捷佳只供全新原装，真实库存，原厂独立经销，含增值税价格优势！ |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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2000 |
1907+ |
20年老字号,原装优势长期供货 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
22000 |
2020+ |
全新原装正品 现货库存 价格优势 |
IRFR1010采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR1010图片
IRFR1010ZPBF价格
IRFR1010ZPBF价格：￥4.7241品牌：INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRFR1010ZPBF多少钱，想知道IRFR1010ZPBF价格是多少？参考价：￥4.7241。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR1010ZPBF批发价格及采购报价，IRFR1010ZPBF销售排行榜及行情走势，IRFR1010ZPBF报价。
IRFR1010ZTRPBF资讯
IRFR1010ZTRPBF
IRFR1010ZTRPBF场效应管INFINEONMOSFET55V1N-CHHEXFET7.5mOhms63nC
IRFR1010ZTRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR1010Z功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR1010ZPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR1010ZTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 91A 7.5mOhm 63nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR1010ZTRPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR1010ZTRRPBF功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
