| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IR原厂封装 |
15850 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-247 |
23 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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VISHAYTO-247-3 |
3325 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-247 |
7814 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-247 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRTO-247 |
65400 |
23+ |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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IRTO-247 |
9865 |
23+/24+ |
原包原标签100%进口原装可开13%税 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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3325 |
17+ |
TO-247-3 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYTO-247-3 |
3325 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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IRTO-247 |
7000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRDIPSOP |
12300 |
15+ |
原装进口现货,假一罚十 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-247 |
6000 |
17+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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深圳市荣泽信电子科技有限公司12年
留言
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IRTO-247 |
15000 |
13+ |
全新原装的现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-247 |
6528 |
2016+ |
房间原装进口现货假一赔十 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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IRTO247 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRTO-247AC |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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IR管3P |
18000 |
23+ |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRTO-3P |
90000 |
23+ |
只做原装 全系列供应 价格优势 可开增票 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO-247 |
65 |
23+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRTO-247 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
IRFP048采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFP048图片
IRFP048PBF价格
IRFP048PBF价格：￥10.8420品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFP048PBF多少钱，想知道IRFP048PBF价格是多少？参考价：￥10.8420。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFP048PBF批发价格及采购报价，IRFP048PBF销售排行榜及行情走势，IRFP048PBF报价。
IRFP048资讯
IRFP048NPBF公司大量全新原装现货/长期供应！
瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务
IRFP048中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFP048功能描述:MOSFET N-Chan 60V 70 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP048_11制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFP048N功能描述:MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFP048NHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
IRFP048NPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 59.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP048PBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 70 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP048R功能描述:MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFP048R_11制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFP048RPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 70 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
