选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
|
INFINEONTO-220-3 |
3000 |
22+ |
公司只有原装 |
|||
|
深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
|
INFINEONTO-220-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
|
Infineon(英飞凌)TO-220F |
9203 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
IRTO-220 |
44 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
|||
|
深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
|
IRTO-220 |
8300 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
|||
|
深圳市凯斯宇科技有限公司9年
留言
|
IORTO-220 |
884 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
IRTO-220FullPak(Iso) |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
|||
|
京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
|
INFINEONTO-220-3 |
3000 |
22+ |
只做原装,支持实单,来电咨询。 |
|||
|
深圳市乐峰达科技有限公司1年
留言
|
INFINEONTO-220-3 |
8000 |
22+ |
原厂原装,实单加微信 |
|||
|
深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
|
IR原厂原装 |
6000 |
23+ |
全新原装 |
|||
|
易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
|
IRTO-220F |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
|||
|
深圳市星佑电子有限公司16年
留言
|
IRTO220 |
8000 |
05+ |
自己公司全新库存绝对有货 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
IRTO-220F |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
IRTO-TO-220F |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
|
IRTO-TO-220F |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
IRTO-220F |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
|
深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
|
IRTO-220F |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
IRTO-220F |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
IRTO-220F |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
|||
|
无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
|
iscTO-220F |
2750 |
2024 |
|
国产品牌isc,可替代原装 |
IRFIZ34采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRFIZ34图片
IRFIZ34NPBF价格
IRFIZ34NPBF价格:¥1.9182品牌:International
生产厂家品牌为International的IRFIZ34NPBF多少钱,想知道IRFIZ34NPBF价格是多少?参考价:¥1.9182。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRFIZ34NPBF批发价格及采购报价,IRFIZ34NPBF销售排行榜及行情走势,IRFIZ34NPBF报价。
IRFIZ34中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFIZ34功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-251VAR
IRFIZ34A功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262AA
IRFIZ34E功能描述:MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFIZ34EPBF功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 2.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIZ34G功能描述:MOSFET N-Chan 60V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIZ34G_09制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFIZ34GPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIZ34N制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.04ohm, Id=21A)
IRFIZ34NHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220
IRFIZ34NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 19A 40mOhm 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube