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深圳市誉腾达半导体科技有限公司

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IRFIZ34NPBF

INFINEONTO-220-3

3000

22+

公司只有原装

深圳市智连鑫科技有限公司

1年 留言
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IRFIZ34NPBF

INFINEONTO-220-3

8000

23+

只做原装正品,假一罚十

深圳市高捷芯城科技有限公司

4年 留言
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Infineon(英飞凌)TO-220F

9203

23+

支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳市坤融电子科技有限公司

5年 留言
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IRTO-220

44

22+

只做原装进口 免费送样!!

深圳市欧立现代科技有限公司

10年 留言
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IRTO-220

8300

22+

绝对原装现货,价格低,欢迎询购!

深圳市凯斯宇科技有限公司

9年 留言
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IORTO-220

884

2022

原厂原装正品,价格超越代理

深圳市河锋鑫科技有限公司

3年 留言
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IRTO-220FullPak(Iso)

31518

17+

原装正品 可含税交易

京海半导体(深圳)有限公司

2年 留言
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INFINEONTO-220-3

3000

22+

只做原装,支持实单,来电咨询。

深圳市乐峰达科技有限公司

1年 留言
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    黄小姐

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    深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层1号10A11

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INFINEONTO-220-3

8000

22+

原厂原装,实单加微信

深圳市博浩通科技有限公司

14年 留言
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    罗小姐/王先生

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    国内业务:深圳市福田区华强北宝华大厦A座808,国际业务:深圳市福田区华强北路赛格广场3510A室

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IR原厂原装

6000

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全新原装

易创佳业科技(深圳)有限公司

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    深圳市龙华区民治街道金地梅龙镇2栋3单元8C

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IRTO-220F

6000

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原装正品,支持实单

深圳市星佑电子有限公司

16年 留言
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    深圳市福田区深南中路3007号国际科技大厦2201

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IRTO220

8000

05+

自己公司全新库存绝对有货

深圳市安富世纪电子有限公司

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IRTO-220F

8000

23+

只做原装现货

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IRTO-TO-220F

12300

23+

全新原装真实库存含13点增值税票!

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

2年 留言
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    李先生/许小姐

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    深圳市福田区华强北街道华强北路上步工业区102栋620室

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IRTO-TO-220F

12300

24+

独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证

深圳市创新迹电子有限公司

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    杨小姐

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IRTO-220F

25000

22+

只做原装进口现货,专注配单

深圳市国宇半导体科技有限公司

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IRTO-220F

10000

23+

公司只做原装正品

深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRTO-220F

6000

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十年配单,只做原装

深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRTO-220F

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终端可免费供样,支持BOM配单

无锡固电半导体股份有限公司

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iscTO-220F

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2024

1+
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国产品牌isc,可替代原装

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IRFIZ34功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-251VAR

IRFIZ34A功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262AA

IRFIZ34E功能描述:MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFIZ34EPBF功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 2.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFIZ34G功能描述:MOSFET N-Chan 60V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFIZ34G_09制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET

IRFIZ34GPBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFIZ34N制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.04ohm, Id=21A)

IRFIZ34NHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220

IRFIZ34NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 19A 40mOhm 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube