选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
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SOT |
10000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
8000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
3000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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INFINEONSOP |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
500 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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IRTO220 |
6500 |
22+ |
只做原装正品.或订货假一赔十! |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-220 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IR原厂封装 |
15850 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳市金启宁科技有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO220 |
50000 |
21+ |
只做原装,支持实单! |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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INFINEONTO220AB |
2000 |
23/22+ |
全线可订货.含税开票 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
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IRTO-220 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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INTO-220 |
8113 |
22+ |
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原装正品现货假一罚十 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEONTO-220 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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TO-220 |
30000 |
23+ |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
留言
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IRTO-220 |
6880 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VIHSAYTO-263 |
400 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
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IRto220 |
3600 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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INFINEONTO-220 |
30000 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
IRF9Z34采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
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IRF9Z34NSTRLPBF价格
IRF9Z34NSTRLPBF价格:¥1.5816品牌:International
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IRF9Z34NPBF IR 进口原装现货 欢迎垂询 TO-220 深圳市洪兴微电子有限公司 0755-82548551/13590219551
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IRF9Z34NPBF 深圳市神舟芯电子科技有限公司
深圳市神舟芯电子科技有限公司专业销售IC,二三极管,电阻电容公司常年备有近百个知名ic品牌的原厂在美欧、亚太、香港等地有着优良的、稳定的进货渠道,产品价格优惠支持样品欢迎询价联系人:张小姐电话:0755-23156358/15814652535传真:0755-23156358地址:深圳市宝安区民治大道华侨新苑5-
IRF9Z34NS全新原装,进口现货,大量库存热卖
型号:IRF9Z34NS 品牌:IR/国际整流器 描述MOSFETP-CH55V19AD2PAK 标准包装:800 类别:分离式半导体产品 家庭:FET-单 系列:HEXFET® FET型:MOSFETP通道,金属氧化物 FET特点:标准型 漏极至源
IRF9Z34NPBF 现货热卖
型号:IRF9Z34NPBF品名:IR/国际整流器封装:TO-220数量:5000批号:2012+单价:面谈沟道类型:P沟道参数:-19A/-55V IRF9Z34NPBF,结型(JFET)型,耗尽型,P沟道MOS管
IRF9Z34NPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF9Z34功能描述:MOSFET P-Chan 60V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9Z34L制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRF9Z34LPBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Surface Mount
IRF9Z34N制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TO-220
IRF9Z34NL功能描述:MOSFET P-CH 55V 19A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF9Z34NLPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -19A 100mOhm 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9Z34NPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9Z34NS制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P D2-PAK
IRF9Z34NSPBF功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9Z34NSTRL制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R