| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
3750 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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IRMSOP |
5000 |
20+/21+ |
全新原装进口价格优势 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IOR1332 |
1580 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市振宏微科技有限公司5年
留言
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IRMSOP |
28000 |
23+ |
原装正品 |
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深圳市星佑电子有限公司5年
留言
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IRTSSOP8 |
10000 |
21+ |
全新原装 公司现货 价格优 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRMSOP |
500 |
23+ |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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IRMSOP |
5825 |
2339+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRMSOP |
12245 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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深圳市金启宁科技有限公司10年
留言
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IRMSOP |
5957 |
2022+ |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IORTSSOP8 |
29359 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市英卓尔科技有限公司8年
留言
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IRMSOP-8 |
2960 |
20+ |
诚信交易大量库存现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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MSOP |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IRMSOP |
12000 |
21+ |
进口原装正品现货 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IORMSOP-8P |
800 |
99+ |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
留言
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IRMSOP |
5280 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRMSOP |
13500 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRMSOP |
13500 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRMSOP |
8000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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IORTSSOP8 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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IRMSOP |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
IRF7534采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF7534图片
IRF7534中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7534D1功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7534D1PBF功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7534D1TR功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
