选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRSO-8 |
8000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRSO-8 |
8000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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IRSO-8 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
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INFINEON/英飞凌MSOP-8 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
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IRSOP-8 |
12000 |
1305+ |
公司特价原装现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesMicro8? |
4000 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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IORSSOP-8 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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IRSOP8 |
4000 |
07+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
11898 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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IRMSOP-8 |
7995 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRMSOP8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IR |
65230 |
21+ |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRMSOP-8 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRMSOP8 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IRMSOP8 |
22354 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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MSOP8 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRMSOP8 |
13500 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司10年
留言
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IRPLCC-32 |
18000 |
23+ |
IRF7534D采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF7534D图片
IRF7534D1中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7534D1功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7534D1PBF功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7534D1TR功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件