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HMC-ALH444中文资料PDF规格书
HMC-ALH444规格书详情
General Description
The HMC-ALH444 is a GaAs MMIC HEMT Low Noise Wideband Amplifi er die which operates between 1 and 12 GHz. The amplifi er provides 17 dB of gain, 1.5 dB noise fi gure and +19 dBm of output power at 1 dB gain compression while requiring only 55 mA from a +5V supply voltage.
Features
Noise Figure: 1.75 dB @ 10 GHz
Gain: 17 dB
P1dB Output Power: +19 dBm @ 5 GHz
Supply Voltage: +5V @ 55 mA
Die Size: 2.64 x 1.64 x 0.1 mm
Typical Applications
This HMC-ALH444 is ideal for:
• Wideband Communication Systems
• Surveillance Systems
• Point-to-Point Radios
• Point-to-Multi-Point Radios
• Military & Space
• Test Instrumentation
* VSAT
产品属性
- 产品编号：
HMC-ALH444
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装：
带
- 频率：
1GHz ~ 12GHz
- P1dB：
19dBm
- 增益：
17dB
- 噪声系数：
1.5dB
- 射频类型：
VSAT
- 电压 - 供电：
5V
- 电流 - 供电：
55mA
- 测试频率：
1GHz ~ 12GHz
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
模具
- 供应商器件封装：
模具
- 描述：
IC RF AMP VSAT 1GHZ-12GHZ DIE
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITTITE |
2020+ |
SMD |
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SMD |
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HITTITE |
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ADI/亚德诺 |
22+ |
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询价 | |||
HITTITE |
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NA |
80000 |
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