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HMC-ALH435中文资料PDF规格书

HMC-ALH435
厂商型号

HMC-ALH435

参数属性

HMC-ALH435 封装/外壳为模具;包装为卷带(TR);类别为RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器;产品描述:IC RF AMP VSAT 5GHZ-20GHZ DIE

功能描述

GaAs HEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 5 - 20 GHz

文件大小

209.98 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 HITTITE
企业简称

Hittite

中文名称

HITTITE官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-5 7:33:00

HMC-ALH435规格书详情

General Description

The HMC-ALH435 is a GaAs MMIC HEMT Low Noise Wideband Amplifi er die which operates between 5 and 20 GHz. The amplifi er provides 13 dB of gain, 2.2 dB noise fi gure at 12 GHz and +16 dBm of output power at 1 dB gain compression while requiring only 30 mA from a +5V supply voltage. The HMC-ALH435 amplifi er is ideal for integration into Multi-ChipModules (MCMs) due to its small size.

Features

Noise Figure: 2.2 dB @ 12 GHz

Gain: 13 dB @ 14 GHz

P1dB Output Power: +16 dBm @ 12 GHz

Supply Voltage: +5V @ 30 mA

Die Size: 1.48 x 0.9 x 0.1 mm

Typical Applications

This HMC-ALH435 is ideal for:

• Wideband Communication Systems

• Surveillance Systems

• Point-to-Point Radios

• Point-to-Multi-Point Radios

• Military & Space

• Test Instrumentation

• VSAT

产品属性

  • 产品编号:

    HMC-ALH435

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 频率:

    5GHz ~ 20GHz

  • P1dB:

    16dBm

  • 增益:

    13dB

  • 噪声系数:

    2.2dB

  • 射频类型:

    VSAT

  • 电压 - 供电:

    5V

  • 电流 - 供电:

    30mA

  • 测试频率:

    5GHz ~ 20GHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    模具

  • 供应商器件封装:

    模具

  • 描述:

    IC RF AMP VSAT 5GHZ-20GHZ DIE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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