HGTP3N60A4 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

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1+	面议

厂家型号：
HGTP3N60A4
产品分类：
芯片
生产厂商：
ONSEMI/安森美半导体
库存数量：
690000
产品封装：
TO-220AB-3
生产批号：
24+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-4-29 14:40:00

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原厂料号：HGTP3N60A4品牌：onsemi(安森美)

支持实单/只做原装

HGTP3N60A4是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商onsemi(安森美)/onsemi生产封装TO-220AB-3/TO-220-3的HGTP3N60A4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
HGTP3N60A4
规格书：
下载下载2
企业简称：
FAIRCHILD【仙童半导体】详情
厂商全称：
Fairchild Semiconductor
中文名称：
飞兆/仙童半导体公司
内容页数：
8 页
文件大小：
189.33 kb
资料说明：
600V, SMPS Series N-Channel IGBT

产品属性

类型
描述
产品编号：
HGTP3N60A4
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，3A
开关能量：
37µJ（开），25µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
6ns/73ns
测试条件：
390V，3A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
IGBT 600V 17A 70W TO220AB

供应商

企业：
深圳市华宇金电子有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
龙金进
手机：
13751114769
询价：
电话：
13751114769
地址：
深圳市罗湖区清水河街道金祥都市花园金玉苑6栋三单元505室

HGTP3N60A4 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

HGTP3N60A4

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