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HGTP10N120BN 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 FSC/仙童
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号：
HGTP10N120BN
- 制造商：
onsemi
- 类别：
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，10A
- 开关能量：
320µJ（开），800µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
23ns/165ns
- 测试条件：
960V，10A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
供应商
- 企业：
深圳市星佑电子有限公司
- 商铺：
- 联系人：
李先生.张小姐
- 手机：
13682592920/13713568066
- 询价：
- 电话：
0755-83997861/83993781
- 传真：
0755-83997996
- 地址：
深圳市福田区深南中路3007号国际科技大厦2201
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