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IRL3803V	文件：339.05 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Combinewiththefastswitchingspeedandruggedizeddevice design,providethedesignerwithanextremelyefficientand reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications. •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤5.5mΩ •Enhancementmode •Fa	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRL3803V	文件：135.03 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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