| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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FSCTO-220 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ON/安森美TO-220 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市亿智腾科技有限公司8年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
3580 |
2021+ |
原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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ON/安森美TO-220 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INTERSILTO-220 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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onsemi/安森美TO-220 |
4500 |
新批次 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)TO-220 |
942 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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ONTO-220 |
8675 |
19+ |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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onsemi/安森美TO-220 |
4500 |
新批次 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
4471 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)TO220 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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FSCTO-220 |
15000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市纳立科技有限公司3年
留言
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1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市富利微电子科技有限公司8年
留言
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ON/安森美TO-220-3 |
30000 |
23+ |
原装正品公司现货,假一赔十! |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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ON/安森美TO-220-3 |
6000 |
22+ |
只做原装,假一赔十 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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FAIRCTO-220 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ON/安森美TO-2 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市冠亿通科技有限公司5年
留言
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ON/安森美 |
25000 |
21+ |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
HGTP7N60A4采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
HGTP7N60A4图片
HGTP7N60A4中文资料Alldatasheet PDF
更多HGTP7N60A4功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGTP7N60A4_NL制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
HGTP7N60A4D功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGTP7N60A4NL制造商:Fairchild Semiconductor Corporation
产品属性
- 产品编号：
HGTP7N60A4
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，7A
- 开关能量：
55µJ（开），60µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
11ns/100ns
- 测试条件：
390V，7A，25 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
IGBT 600V 34A TO220-3
