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GTVA101K42EV	文件：2.17807 Mbytes Page：14 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 1400 W, 50 V, DC – 1400 MHz Description TheGTVA101K42EVisa1400-wattGaNonSiChighelectronmobility transistor(HEMT)foruseintheDCto1400MHzfrequencyband.Itisa inputmatched,highefficiencydeviceinathermally-enhancedpackage withbolt-downflange. Features •GaNonSiCHEMTtechnology •Inputma	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
GTVA101K42EV	文件：1.35578 Mbytes Page：4 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 1400 W, 50 V, 960 ??1215 MHz	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
GTVA101K42EV-AMP2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：开发板，套件，编程器射频评估和开发套件，开发板描述：AMPLIFIER, 1030MHZ, GTVA101K42EV	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
GTVA101K42EV-V1-R0	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：H-36275-4 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
GTVA101K42EV-V1-R250	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：H-36275-4 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED

更多GTVA101K42EV供应商更新时间2024-6-15 15:00:00