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GTVA107001EC-V1-R2	文件：638.73 Kbytes Page：8 Pages	High Power RF GaN on SiC HEMT 700 W, 50 V, DC - 1.4 GHz Description TheGTVA107001ECandGTVA107001FCare700-wattGaNonSiChighelectronmobilitytransistors(HEMT)foruseintheDC-1.4GHzfrequecyband. Features •GaNonSiCHEMTtechnology •Inputmatched •TypicalpulsedCWperformance(classAB),1030MHz, 50V,128µspulsewidth,10	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
GTVA107001EC-V1-R2	文件：253.63 Kbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 700 W, 50 V, 960 ??1215 MHz	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
GTVA107001EC-V1-R250	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SOT-957A 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：700W, GAN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHZ,	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED

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GTVA107001EC-V1-R2

文件：638.73 Kbytes

Page：8 Pages

High Power RF GaN on SiC HEMT 700 W, 50 V, DC - 1.4 GHz

Description TheGTVA107001ECandGTVA107001FCare700-wattGaNonSiChighelectronmobilitytransistors(HEMT)foruseintheDC-1.4GHzfrequecyband. Features •GaNonSiCHEMTtechnology •Inputmatched •TypicalpulsedCWperformance(classAB),1030MHz, 50V,128µspulsewidth,10

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

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Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 700 W, 50 V, 960 ??1215 MHz

CreeCree Inc.

科锐科锐半导体制造商

Cree

GTVA107001EC-V1-R250

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）封装/外壳：SOT-957A 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：700W, GAN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHZ,

WOLFSPEED

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	GTVA107001EC-V1-R250	Wolfspeed, Inc.	24+	底座安装	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价
兆亿微波(北京)科技有限公司	GTVA107001EC-V1-R250	Cree/Wolfspeed			100		询价
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