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GTRA214602FC-V1-R2	文件：522.63 Kbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 490 W, 48 V, 2110 – 2170 MHz Description TheGTRA214602FCisa490-watt(P3dB)GaNonSiChigh electronmobilitytransistor(HEMT)designedforusein multi-standardcellularpoweramplifierapplications.It featuresinputmatching,highefficiency,andathermallyenhancedpackagewithearlessflange. Features •GaNon	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED

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GTRA214602FC-V1-R2

文件：522.63 Kbytes

Page：8 Pages

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 490 W, 48 V, 2110 – 2170 MHz

Description TheGTRA214602FCisa490-watt(P3dB)GaNonSiChigh electronmobilitytransistor(HEMT)designedforusein multi-standardcellularpoweramplifierapplications.It featuresinputmatching,highefficiency,andathermallyenhancedpackagewithearlessflange. Features •GaNon

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更多GTRA214602FC-V1-R2供应商更新时间2024-5-16 11:10:00

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