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GTRA362802FC-V1	文件：553.14 Kbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 280 W, 48 V, 3400 – 3600 MHz Description TheGTRA362802FCisa280-watt(P3dB)GaNonSiChighelectron mobilitytransistor(HEMT)designedforuseinmulti-standardcellular poweramplifierapplications.Itfeaturesinputmatching,high efficiency,andathermally-enhancedpackagewithearlessflange. Features •GaNon	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
GTRA362802FC-V1-R0	文件：553.14 Kbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 280 W, 48 V, 3400 – 3600 MHz Description TheGTRA362802FCisa280-watt(P3dB)GaNonSiChighelectron mobilitytransistor(HEMT)designedforuseinmulti-standardcellular poweramplifierapplications.Itfeaturesinputmatching,high efficiency,andathermally-enhancedpackagewithearlessflange. Features •GaNon	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
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Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 280 W, 48 V, 3400 – 3600 MHz

Description TheGTRA362802FCisa280-watt(P3dB)GaNonSiChighelectron mobilitytransistor(HEMT)designedforuseinmulti-standardcellular poweramplifierapplications.Itfeaturesinputmatching,high efficiency,andathermally-enhancedpackagewithearlessflange. Features •GaNon

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	GTRA412852FC-V1-R0	MACOM Technology Solutions	24+	-	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价
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更多GTRA362802FC-V1供应商更新时间2024-5-17 15:00:00

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