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GT30J341

DiscreteIGBTsSiliconN-ChannelIGBT

1.Applications •MotorDrivers 2.Features (1)Sixthgeneration (2)Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.5V(typ.)(IC=30A) (3)Highjunctiontemperature:Tj=175ㄹ°C(max) (4)FRDincludedbetweenemitterandcollector

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

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更多GT30J341/Q(O供应商 更新时间2024-6-18 16:19:00