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GT30J341中文资料PDF规格书

GT30J341
厂商型号

GT30J341

参数属性

GT30J341 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT TRANS 600V 30A TO3PN

功能描述

Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT

文件大小

301.06 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社東芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-18 17:24:00

GT30J341规格书详情

1. Applications

• Motor Drivers

2. Features

(1) Sixth generation

(2) Low saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V (typ.) (IC= 30 A)

(3) High junction temperature: Tj= 175ㄹ°C(max)

(4) FRD included between emitter and collector

产品属性

  • 产品编号:

    GT30J341,Q

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    800µJ(开),600µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    80ns/280ns

  • 测试条件:

    300V,30A,24 欧姆,15V

  • 工作温度:

    175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P(N)

  • 描述:

    IGBT TRANS 600V 30A TO3PN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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