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GT10J321中文资料PDF规格书

GT10J321
厂商型号

GT10J321

功能描述

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT

文件大小

158.69 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社東芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-19 18:22:00

GT10J321规格书详情

High Power Switching Applications

Fast Switching Applications

• Fourth-generation IGBT

• Enhancement mode type

• Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference)

• High speed: tf = 0.03 μs (typ.)

• Low switching loss : Eon = 0.26 mJ (typ.) : Eoff = 0.18 mJ (typ.)

• Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.0 V (typ.)

• FRD included between emitter and collector

产品属性

  • 型号:

    GT10J321

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 10A 3PIN TO-220(NIS) - Rail/Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
TO220F
9500
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