GT10J301中文资料PDF规格书
GT10J301规格书详情
Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 :
http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429
* GT30G124
- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V
- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A
* GT30J124
- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V
- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A
Applications and Features : Plasma display panels
产品属性
- 型号:
GT10J301
- 制造商:
Toshiba America Electronic Components
- 功能描述:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
- 功能描述:
TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 10A 3PIN TO-3P(N) - Rail/Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
日本东芝TOS |
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TO3P |
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TOSHIBA/东芝 |
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TO-3P(N) |
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TOSHIBA/东芝 |
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TO-3P |
80000 |
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TOSHIBA |
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TOS |
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. |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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NA/ |
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TOSHIBA/东芝 |
TO-3P |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA/东芝 |
23+ |
TO-3P(N) |
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