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IRG4RC20F	文件：264.06 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.82V,@Vge=15V,Ic=12A) FastSpeedIGBT Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerationIGBTs. •IndustrystandardTO-252AApackage •Co	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4RC20FPBF	文件：399.38 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerationIGBTs. •IndustrystandardTO-252AApackage. •Combinessverylo	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.82V,@Vge=15V,Ic=12A)

FastSpeedIGBT Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerationIGBTs. •IndustrystandardTO-252AApackage •Co

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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更多G4RC20F供应商更新时间2024-4-29 16:56:00

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