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30N20	文件：131.87 Kbytes Page：3 Pages	30A,200VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC30N20isanN-channelmodePowerFET,itusesUTC’sadvancedtechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistance,superiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalancheandcommutationmode. FEATURES *RDS(ON)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
30N20	文件：1.60365 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
30N20G	文件：354.04 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200VoltsN-ChannelEnhancementïModeTO-220 Features •SourceïtoïDrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode •AvalancheEnergySpecified •IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature •PbïFreePackageisAvailable Applications •PWMMotorControls •PowerSupplies •Converters	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
A30N20MP	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团	PENTAIR
A30N20MPP	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团	PENTAIR
A30N20MPP	文件：1.87751 Mbytes Page：16 Pages	PERFORATEDPANELS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
DAM30N20D	文件：233.03 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
DAME30N20H	文件：250.55 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
FTW30N20A	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
MSAER30N20A	文件：48.35 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features •Ultrafastrectifierinparallelwiththebodydiode(MSAEtypeonly) •Ruggedpolysilicongatecellstructure •IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability •Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage •Lowpackageinductance •Verylowthermalresistance •Rev	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSAFR30N20A	文件：48.35 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features •Ultrafastrectifierinparallelwiththebodydiode(MSAEtypeonly) •Ruggedpolysilicongatecellstructure •IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability •Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage •Lowpackageinductance •Verylowthermalresistance •Rev	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MTE30N20FP	文件：446.33 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTH30N20	文件：293.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=80mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTB30N20	文件：85.77 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200VoltsN?묬hannelEnhancement?묺odeD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB30N20	文件：73.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB30N20G	文件：73.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP30N20	文件：88.02 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200Volts N−ChannelEnhancement−ModeTO−220 30AMPERES200VOLTS68m@VGS=10V(Typ) Features •Source−to−DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode •AvalancheEnergySpecified •IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature •Pb−FreePackageisAvail	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP30N20	文件：354.04 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200VoltsN-ChannelEnhancementïModeTO-220 Features •SourceïtoïDrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode •AvalancheEnergySpecified •IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature •PbïFreePackageisAvailable Applications •PWMMotorControls •PowerSupplies •Converters	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP30N20G	文件：354.04 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200VoltsN-ChannelEnhancementïModeTO-220 Features •SourceïtoïDrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode •AvalancheEnergySpecified •IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature •PbïFreePackageisAvailable Applications •PWMMotorControls •PowerSupplies •Converters	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP30N20G	文件：164 Kbytes Page：7 Pages	N?묬hannelEnhancement?묺odeTO??20 N−ChannelEnhancement−ModeTO−220 30AMPERES200VOLTS68m@VGS=10V(Typ) Features •Source−to−DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode •AvalancheEnergySpecified •IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature •Pb−FreePackageisAvail	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿国际（香港）有限公司	G30N20K	GOFORD(谷峰)	2117+	TO-252	315000	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	G30N60	原厂	23+	TO-3P	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市鑫宇杨电子科技有限公司	G30N60	FAIRCHILD	2020+	TO-3PL	350000	100%进口原装正品公司现货库存	询价
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深圳诚思涵科技有限公司	G30N60	FAIRCHILD	18+	TO-3P	85600	保证进口原装可开17%增值税发票	询价

更多G30N20K供应商更新时间2024-5-21 15:00:00

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