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IXEH25N120	文件：182.34 Kbytes Page：4 Pages	NPT3IGBT Features •NPT3IGBT -positivetemperaturecoefficientof saturationvoltageforeasyparalleling -fastswitching -shorttailcurrentforoptimized performanceinresonantcircuits •optionalHiPerFRED™diode -fastreverserecovery -lowoperatingforward	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH25N120	文件：45.88 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)HighspeedIGBT LowVCE(sat)HighspeedIGBT Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD •2ndgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DC	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH25N120A	文件：45.88 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)HighspeedIGBT LowVCE(sat)HighspeedIGBT Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD •2ndgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DC	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSH25N120A	文件：32.61 Kbytes Page：2 Pages	IGBT IGBTImprovedSCSOACapability Features •SecondgenerationHDMOSTMprocessLowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •Switc	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
K25N120	文件：329.74 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
KGF25N120KDA	文件：1.57082 Mbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGH25N120NDA	文件：64.44 Kbytes Page：6 Pages	SEMICONDUCTORTECHNICALDATA GeneralDescription KECNPTIGBTsofferlowestlossesandhighestenergyefficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheating),UPS,Generalinverterandothersoftswitchingapplications. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highersystemefficiency ·Softcurrentturn-offwavef	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGT25N120KDA	文件：567.69 Kbytes Page：8 Pages	SEMICONDUCTORTECHNICALDATA	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGT25N120KDA	文件：573.35 Kbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGT25N120NDA	文件：123.9 Kbytes Page：8 Pages	SEMICONDUCTORTECHNICALDATA	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGT25N120NDH	文件：1.48621 Mbytes Page：7 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MGY25N120	文件：153.58 Kbytes Page：5 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguaranteedshortcircuitwithstandtime.Fastswitchingcharacteri	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGY25N120	文件：228.6 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguaranteedshortcircuitwithstandtime.Fastswitchingcharacteri	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MGY25N120D	文件：256.3 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblock	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MGY25N120D	文件：171.59 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltageblock	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MIW25N120FA	文件：1.02325 Mbytes Page：7 Pages	TrenchandFieldStopIGBT1200V25A Features •LowVCE(sat)Trench-FSIGBTtechnology •Positivetemperaturecoefficient •Includingfast&softrecoveryanti-parallelFWD •Highshortcircuitcapability(10us) •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •LeadFreeFinish/RoHSCompliant	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MIW25N120FA-BP	文件：1.02325 Mbytes Page：7 Pages	TrenchandFieldStopIGBT1200V25A Features •LowVCE(sat)Trench-FSIGBTtechnology •Positivetemperaturecoefficient •Includingfast&softrecoveryanti-parallelFWD •Highshortcircuitcapability(10us) •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •LeadFreeFinish/RoHSCompliant	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
NGTB25N120FLWG	文件：188.23 Kbytes Page：10 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB25N120IHLWG	文件：175.61 Kbytes Page：9 Pages	Incorporatedintothedeviceisaruggedco?뭦ackagedfreewheelingdiodewithalowforwardvoltage.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB25N120LWG	文件：179.23 Kbytes Page：9 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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更多G25N120供应商更新时间2024-5-22 9:15:00

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