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MTH15N40	文件：500.87 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModesiliconGateTMOS TMOSPOWERFETs15AMPERES rDS(on)=0.3OHM350and400VOLTS N-ChannelEnhancementModesiliconGateTMOS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTH15N40	文件：316.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTIYI15N40	文件：89.99 Kbytes Page：1 Pages	MaximumLeadTemp	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTM15N40E	文件：170.71 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThisTMOSPowerFETisdesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers.	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
NTB15N40	文件：148.35 Kbytes Page：4 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP15N40	文件：148.35 Kbytes Page：4 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SGR15N40L	文件：169.3 Kbytes Page：7 Pages	GeneralDescription GeneralDescription InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)withatrenchgatestructureprovidesuperiorconductionandswitchingperformanceincomparisonwithtransistorshavingaplanargatestructure.Theyalsohavewidenoiseimmunity.Thesedevicesareverysuitableforstrobeapplicati	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGU15N40	文件：169.3 Kbytes Page：7 Pages	GeneralDescription GeneralDescription InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)withatrenchgatestructureprovidesuperiorconductionandswitchingperformanceincomparisonwithtransistorshavingaplanargatestructure.Theyalsohavewidenoiseimmunity.Thesedevicesareverysuitableforstrobeapplicati	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGU15N40L	文件：169.3 Kbytes Page：7 Pages	GeneralDescription GeneralDescription InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)withatrenchgatestructureprovidesuperiorconductionandswitchingperformanceincomparisonwithtransistorshavingaplanargatestructure.Theyalsohavewidenoiseimmunity.Thesedevicesareverysuitableforstrobeapplicati	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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