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FQT5P10	文件：668.65 Kbytes Page：8 Pages	250V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQT5P10	文件：1.82344 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FQT5P10TF	文件：1.07086 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel QFET짰 MOSFET -100 V, -1.0 A, 1.05 廓 Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQT5P10TF	文件：1.04314 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FQB5P10	文件：655.1 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB5P10	文件：680.98 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB5P10TM	文件：680.98 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD5P10	文件：648.66 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbl. Features •-3.6A,-100V,RDS(on)=1.05Ω@VGS=-10V •Lowgatecharge(typical6.3nC) •LowCrs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD5P10	文件：527.6 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelQFET짰MOSFET-100V,-3.6A,1.05?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD5P10TF	文件：527.6 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelQFET짰MOSFET-100V,-3.6A,1.05?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FQI5P10	文件：680.98 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI5P10	文件：655.1 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP5P10	文件：646.39 Kbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF5P10	文件：661.24 Kbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU5P10	文件：648.66 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbl. Features •-3.6A,-100V,RDS(on)=1.05Ω@VGS=-10V •Lowgatecharge(typical6.3nC) •LowCrs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KQD5P10	文件：63.66 Kbytes Page：2 Pages	100VP-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KSMU5P10	文件：649.52 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
PJD5P10A	文件：391.23 Kbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
SS5P10	文件：108.71 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountSchottkyBarrierRectifiers FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •Guardringforovervoltageprotection •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiency •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qu	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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详细参数

型号：
FQT5P10
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
250V N-Channel MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市莱克讯科技有限公司	FQT5P10	FSC	2017+	SOT-223	25899	深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	FQT5P10	FAIRCHILD	08+(pbfree)	SOT-223	8866		询价
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更多FQT5P10供应商更新时间2024-5-15 14:00:00

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