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FQS4410	文件：598.18 Kbytes Page：8 Pages	SingleN-Channel,LogicLevel,PowerMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FTK4410D	文件：510.63 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTSO4410	文件：316.65 Kbytes Page：9 Pages	SmallSignalGeneralPurposeAmplifiers&Switchs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
GAPM4410	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	MinisizeofDiscretesemiconductorelements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
GC4410	文件：106.98 Kbytes Page：2 Pages	HIGHVOLTAGEPINDIODES DESCRIPTION TheGC4400seriesarehighvoltage,highpower(cathodebase)PINdiodes.Thesehighresistivitysilicondevicesareglasspassivatedforhighstabilityandreliabilityandhavebeenprovenbythousandsofdevicehoursinhighreliabilitysystems. KEYFEATURES Availableasp	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
GC4410	文件：157.44 Kbytes Page：4 Pages	CONTROLDEVICES-HIGHVOLTAGEPINDIODES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
GSC4410	文件：309.15 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
HM4410	文件：1.99613 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronousRectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch CASESO-8	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
HM4410A	文件：613.93 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM4410T	文件：3.56318 Mbytes Page：14 Pages	130mWnon-outputcapacitostereoclassGheadphoneamplifier	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HP4410	文件：82.34 Kbytes Page：5 Pages	10A,30V,0.0135Ohm,SingleN-Channel,LogicLevelPowerMOSFET ThispowerMOSFETismanufacturedusinganinnovativeprocess.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandthediodeexhibitsverylo	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HP4410	文件：151.33 Kbytes Page：6 Pages	10A,30V,0.0135Ohm,SingleN-Channel,LogicLevelPowerMOSFET ThispowerMOSFETismanufacturedusinganinnovativeprocess.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandthediodeexhibitsverylo	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HP4410DY	文件：151.33 Kbytes Page：6 Pages	10A,30V,0.0135Ohm,SingleN-Channel,LogicLevelPowerMOSFET ThispowerMOSFETismanufacturedusinganinnovativeprocess.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandthediodeexhibitsverylo	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HP4410DY	文件：82.34 Kbytes Page：5 Pages	10A,30V,0.0135Ohm,SingleN-Channel,LogicLevelPowerMOSFET ThispowerMOSFETismanufacturedusinganinnovativeprocess.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandthediodeexhibitsverylo	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IIRFB4410	文件：338.69 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIRFB4410Z	文件：339.29 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIRFB4410ZG	文件：339.34 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIRFP4410Z	文件：336.27 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF4410	文件：699.77 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
IRFB4410	文件：338.69 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
FQS4410TF
功能描述：
MOSFET 30V N-Channel Power MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FQS4410TF供应商更新时间2024-5-21 16:00:00

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