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5N60	文件：151.71 Kbytes Page：6 Pages	4.5Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC5N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplication	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
5N60	文件：242.68 Kbytes Page：6 Pages	4.5Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
5N60	文件：254.02 Kbytes Page：6 Pages	5A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
5N60	文件：1.06579 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
5N60	文件：396.63 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
5N60	文件：500.1 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFET	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
5N60	文件：2.03879 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
5N60	文件：157.21 Kbytes Page：2 Pages	AvalancheEnergySpecified	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
5N60A	文件：1.0671 Mbytes Page：7 Pages	5A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
5N60C	文件：621.43 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
5N60D	文件：2.03879 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
5N60F	文件：2.03879 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
5N60G	文件：2.03879 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
5N60K	文件：2.03879 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
5N60KG-TMS-T	文件：273.18 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
5N60KG-TND-R	文件：273.18 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
5N60KL-TMS-T	文件：273.18 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
5N60KL-TND-R	文件：273.18 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
5N60K-MT	文件：273.18 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
5N60L	文件：151.71 Kbytes Page：6 Pages	4.5Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC5N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplication	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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详细参数

型号：
FQD5N60CTM_WS
功能描述：
MOSFET 600V, NCH MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FQD5N60CTM_WS供应商更新时间2024-5-21 11:08:00

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