| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
1933 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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FAIRCHILDFQP19N20 |
10850 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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FSC原厂原装 |
25000 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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FSC直插 |
7500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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FSCTO-220 |
32078 |
23+ |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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FSCTO-220F |
5000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)TO-220 |
8498 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市龙瀚电子有限公司4年
留言
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FSCTO-220 |
8369 |
17+ |
原装现货价格绝对优势Y |
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深圳市亿智腾科技有限公司8年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220-3 |
3580 |
2021+ |
原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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ONSEMINA |
14000 |
18+ROHS |
全新原装!优势库存热卖中! |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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onsemiTO-220-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
8950 |
2019+全新原装正品 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
85100 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
55000 |
2019 |
进口原装现货一定自己库存 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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FSNA |
30000 |
22+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市瑞卓芯科技有限公司10年
留言
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ON/安森美SMD |
9000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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FSCTO-220 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市纳立科技有限公司3年
留言
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1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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ON/安森美TO-220 |
1000 |
23+ |
只做原装只有原装假一罚百可开增值税票 |
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FQP19N20图片
FQP19N20C价格
FQP19N20C价格：￥2.8742品牌：Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的FQP19N20C多少钱，想知道FQP19N20C价格是多少？参考价：￥2.8742。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，FQP19N20C批发价格及采购报价，FQP19N20C销售排行榜及行情走势，FQP19N20C报价。
FQP19N20资讯
FQP19N20C
FQP19N20C，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
FQP19N20C 200V 19A TO-220 FAIRCHILD N沟道 功率MOS管
深圳市轩嘉盛电子有限公司FQP19N20C200V19AFAIRCHILDTO-220
FQP19N20中文资料Alldatasheet PDF
更多FQP19N20功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQP19N20C功能描述:MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQP19N20C_F080功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 19A 3-Pin 3+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQP19N20C_Q功能描述:MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQP19N20CTSTU功能描述:MOSFET N-CH 200V 19A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:QFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
FQP19N20L功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQP19N20TSTU功能描述:MOSFET Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
