| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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XILINX |
130 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市英博尔电子有限公司4年
留言
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INFINEONMODULE |
6000 |
2年内 |
英博尔原装优质现货订货渠道商 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌MODULE |
7906200 |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
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Infineon(英飞凌)MODULE |
25900 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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INFINEONSMD |
563 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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INFINEONECONOPIN3 |
1000 |
14 |
自己库存,原装正品假一赔百0755-27210160田生 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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INFINEONMODULE |
20000 |
21+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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浙江永芯科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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InfineonModules |
563 |
21+ |
全新原装现货诚信经营 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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INFINEONIGBT模块 |
77 |
08+ |
绝对全新原装强调只做全新原装现 |
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江苏芯钻时代电子科技有限公司1年
留言
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INFINEONMODULE |
1000 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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Infineon(英飞凌)AG-ECONO2-4 |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT管 |
650 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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680 |
23+ |
原厂原装假一赔十 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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15000 |
23+ |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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INFINEONIGBT |
319 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
160255 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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FP50R12KT4图片
FP50R12KT4价格
FP50R12KT4价格：￥687.9931品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的FP50R12KT4多少钱，想知道FP50R12KT4价格是多少？参考价：￥687.9931。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，FP50R12KT4批发价格及采购报价，FP50R12KT4销售排行榜及行情走势，FP50R12KT4报价。
FP50R12KT4PBPSA1资讯
FP50R12KT4BPSA1是一种IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块
FP50R12KT4BPSA1
FP50R12KT4FP50R12KT3FP100R12KT4全新原装正品假一罚十
主营全系列全新模块价格优势
FP50R12KT4G 主营英飞凌
全新原装，公司优势库存，做的是诚信，卖的是良心。
FP50R12KT4PBPSA1中文资料Alldatasheet PDF
更多FP50R12KT4功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP50R12KT4_B11功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP50R12KT4G制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 50A 1200V
FP50R12KT4G_B15制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 50A 1200V
FP50R12KT4GB15BOSA1制造商:Infineon Technologies AG
FP50R12KT4GBOSA1制造商:Infineon Technologies AG
